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深圳京柏微科技有限公司
如何看懂MOS管规格书-Mosfet参数含义说明
Mosfet参数含义说明
Features:
Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V
Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd: 最大耗散功率
Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度
Tstg: 最大存储温度
Iar: 雪崩电流
Ear: 重复雪崩击穿能量
Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss： DS击穿电压
Idss: 饱和DS电流，uA级的电流
Igss: GS驱动电流，nA级的电流.
gfs: 跨导
Qg: G总充电电量
Qgs: GS充电电量
Qgd: GD充电电量
Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间
Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd.
Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.
Trr: 反向恢复时间
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