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深圳京柏微科技有限公司
WGB065011是一种增强型硅上氮化镓电源晶体管。氮化镓的特性允许大电流，高电压击穿和高开关频率。WGB065011是一种底侧冷却晶体管，提供非常低结到外壳的热电阻要求高电力的应用程序。这些功能结合起来提供非常高效率电源开关。
WGB065011特性：
650V增强型功率晶体管
底部冷却，小PDFN5060包装
RDS(on) = 150mΩ
IDS(max) = 11A超低FOM
简单门驱动要求(0V ~ 6V)
瞬态容错门驱动器(-20V / +10V)
高切换频率(> 1MHz)
快速可控的升降时间
反向传导能力
零反向恢复损失
源感(SS)引脚优化门驱动器
符合RoHS 3(6+4)标准
应用程序电源适配器
LED照明驱动器
电池快速充电
功率因数校正
家电电机驱动
无线传输
工业电源
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表，研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓应用范围广泛，作为支撑“新基建”建设的关键核心器件，其下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域。此外，氮化镓的高效电能转换特性，能够帮助实现光伏、风电（电能生产），直流特高压输电（电能传输），新能源汽车、工业电源、机车牵引、消费电源（电能使用）等领域的电能高效转换，助力“碳达峰，碳中和”目标实现。
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
