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深圳京柏微科技有限公司
WGB065004是一种增强型硅上氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流，高电压击穿和高开关频率。
WGB065004是一种底侧冷却晶体管，提供非常低的结到外壳的热电阻要求高功率应用程序。这些特性结合起来可以提供非常高效的电源开关。
特性
650V增强型功率晶体管
底部冷却，小PDFN5060包装
RDS(on) = 450mΩ
IDS(max) = 4A超低FOM
简单门驱动要求(0V ~ 6V)
瞬态容错门驱动器(-20V / +10V)
高切换频率(> 1MHz)
快速可控的升降时间
反向传导能力
零反向恢复损失
源感(SS)引脚优化门驱动器
符合RoHS 3(6+4)标准
应用程序：
电源适配器
LED照明驱动器
电池快速充电
功率因数校正
家电电机驱动
无线传输
第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石等为代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优点，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有应用前景。
氮化镓是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为3.4eV，是硅的3倍多。禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。
在几个关键市场中，GaN都表现出了相当的渗透力。
1、GaN在5G方面的应用
射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。
与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。氮化镓器件的瞬时带宽更高，这一点很重要，载波聚合技术的使用以及准备使用更高频率的载波都是为了得到更大的带宽。
与硅或者其他器件相比，氮化镓速度更快。GaN可以实现更高的功率密度。对于既定功率水平，GaN具有体积小的优势。有了更小的器件，就可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。射频电路中的一个关键组成是PA（Power Amplifier，功率放大器）。
从目前的应用上看，功率放大器主要由砷化镓功率放大器和互补式金属氧化物半导体功率放大器（CMOS PA）组成，其中又以GaAs PA为主流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。
