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深圳京柏微科技有限公司
松木ME2306A/ME2306A-G （替代）AOS AO3400 SOT-23 塑封 MOS管N 沟道 30V (D-S)MOSFET
ME2306A/ME2306A-G一般说明
ME2306A 是 N 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管，采用高单元密度，DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺是专门为最大限度地减少导通状态而量身定制的抵抗性。这些器件特别适用于低压应用，例如作为手机、笔记本电脑电源管理等电池供电电路，以及所需的低在线功率损耗采用非常小的外形表面贴装封装。
ME2306A/ME2306A-G特征
● RDS(ON)≦32mΩ@VGS=10V
● RDS(ON)≦38mΩ@VGS=4.5V
● RDS(ON)≦50mΩ@VGS=2.5V
● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低
● 出色的导通电阻和最大直流电流能力
ME2306A/ME2306A-G应用
● 笔记本电源管理
● 便携设备
● 电池供电系统
● DC/DC 转换器
● 负载开关
● DSC
● LCD 显示逆变器 
松木ME2306A/ME2306A-G （替代）AOS AO3400 SOT-23 塑封 MOS管N 沟道 30V (D-S)MOSFET
AO3400是N型MOS管，AO3401是P型MOS管
简要介绍：
AO3400结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装提供极低的RDS(上)，适合作为负载开关或在PWM应用。
Vds 30V
Id（Vgs=10v情况下） 5.8A
Rds(ON) (Vgs=10v情况下)<28mΩ
Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下)<33mΩ
Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下)<52mΩ
绝对最大额定参数
Drain-Source Voltage （漏源电压Vds）30v
Gate-Source Voltage （栅源电压Vgs）±12v
Continuous Drain Current （漏极电流Id 25℃）5.8A
Continuous Drain Current （漏极电流Id 70℃）4.9A
Power Dissipation （功率损耗 25℃）1.4W
Power Dissipation （功率损耗 70℃）0.9W
Junction and Storage Temperature Range （温度范围）-55~150℃
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