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松木ME2345A-G替换AOS AO3401A，P沟道30V低压MOS管方案

ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。

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产品概述

ME2345A是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻。这些设备特别适合低压应用，例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路，在这些应用中，需要在非常小的外形表面安装封装中进行开关和低串联电源损耗。

松木ME2345A特征：

●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V

●RDS（ON）≦80mΩ@VGS=-4.5V

●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-2.5V

●超高密度电池设计，可实现极低的RDS（ON）

●出色的导通电阻和最大直流电流能力

松木ME2345A应用领域：

●笔记本中的电源管理

●便携式设备

●电池供电系统

●负荷开关

●DSC引脚配置

松木ME2345A-G替换AOS AO3401A，P沟道30V（D-S）低压MOS管
AO3401A参数：

TheAO3401A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or other general applications.

商品目录	场效应管(MOSFET)
类型	P沟道
漏源电压(Vdss)	30V
连续漏极电流(Id)	4A
功率(Pd)	1.4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	44mΩ@10V,4.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)	1.3V@250μA

松木ME2345A-G替换AOS AO3401A，P沟道30V低压MOS管方案.png

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