场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

       场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

       绝缘栅场效应管是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。

       绝缘栅型场效应管的工作原理（以N沟道增强型MOS场效应管为例）它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

       场效应管的工作方式有两种：所谓的增强还是耗尽，主要是指MOS管内的反型层。如果在不通电情况下，反型层不存在，电压加到一定程度后，反型层才出现，（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的）这个就是增强。相反，如果反型层一开始就存在，随着电压强弱，反型层会出现增加或者衰减，（当栅压为零时有较大漏极电流的）这个就是耗尽。

1、PMOS的值不同。

（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。

（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。

2、原理不同。

最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。

3、控方法不同。

（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控导通。

（2）、增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控的。

mos管的工作原理：

（1）、做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管，MOS管有很多种类，也有很多作用，做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

（2）、无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的，MOS管是由加在输入端栅极的电压来控输出端漏极的电流。

（3）、MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快