1.PIM模块/IPM模块/IGBT模块概念区别：

PIM模块：整流桥+制动单元+三相逆变（IGBT桥）。PIM模块拓扑结构主要是集成了三相整流桥、刹车系统、六管三相逆变和NTC热敏电阻，模块集成度高。该模块与分立器件方案相比，极大的简化了设计电路的布局和散热系统的搭建。

IPM模块：集成门级驱动及众多保护功能（过热，过流，过流，欠压等保护）的IGBT模块，即智能功率模块。IPM模块即智能IGBT功率模块，在一个模块中集成了门级驱动及保护功能（过热、过压、过流、欠压等保护功能）、温度检测IPM和多个IGBT管。

IGBT模块：模块化封装的IGBT芯片。

IPM的优点：小体积，小型化 ；缩短研发周期；驱动电路和IGBT之间连线短，驱动电路的阻抗低，不需要负电源；集成了IGBT的驱动，欠压保护，过热保护，过流短路保护，可靠性高。

2.PIM模块/IPM模块/IGBT模块优缺点区别：

IPM的缺点：过流或者过温保护点已经固定，如果因为某些特殊的需求就无法作更改，灵活性不够；IPM只有一个报警信号输出，不能分辨究竟是过热还是过流还是欠压等。还有如果就只有驱动或者保护部分电路损坏,但是我们只能无奈的换掉整个模块，而大功率IPM的采购成本非常高。

IGBT的优点：采用IGBT架构电路结构灵活 ，过载能力强（其额定电流是在80℃定义，而IPM是在25℃定义的），采购成本低，可以灵活的设计IGBT的驱动电路有效的控制其开启和关断时间，实现良好的EMI和IGBT的热功耗。

IGBT的缺点：体积大，还需要设计如驱动电路、外围的报警保护电路等保证IGBT的可靠运行。因此设计难度大，稳定性和可靠性很难把握，并且驱动电路除了需要正电源往往还需要负电源，需要提供的电源相对多，布局布线存在困难。

3.IGBT选型参数：
额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数，额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数，引线方式、结构也会给IGBT选型提出要求。
IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

4.应用场景特点对IGBT的要求：

5.Wayon维安IGBT新产品介绍：

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