IGBT裸片是硅基的绝缘栅双极晶体管芯片。裸片和晶圆级别的芯片可帮助模块制造商提高产品集成度和功率密度,并有效节约电路板空间。另外,维安Wayon还提供完善的独立塑封IGBT系列:IGBT单管。该系列芯片包括单片IGBT,以及和续流二极管集成封装的产品,广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源(SMPS)等领域。单管IGBT电流密度高且功耗低,能够提高能效、降低散热需求,从而有效降低整体系统成本。
功率模块是比分立式IGBT规模稍大的产品类型,用于构造电力电子设备的基本单元。这类模块通常由IGBT和二极管组成,可有多种拓扑结构。而即用型组件模块则专用于满足大功率应用的需求。这些组件常被称作系统,根据具体应用领域采用IGBT功率模块或单管进行构造。从具有整流器、制动斩波器和逆变器的一体化功率集成模块,到最大功率的组件,维安Wayo产品高度可靠,性能、效率和使用寿命均很出色,有利于通用驱动器、伺服单元和可再生能源应用(如太阳能逆变器和风力发电应用)的设计。
igbt是一种新型的半导体器件,自从问世以来在自动控制领域,诸如各类变频器、自动化设备、航天科技领域、电动汽车、高铁、煤矿电力、逆变器、电焊机、电影放映机以及大型医疗设备等都使用这个器件。在家电行业从高档自动电饭煲、电磁炉、变频空调机、调温养生壶、高档调温电磁锅等等都离不开igbt这个半导体器件。
把交流电变成直流电,这个过程称为:整流。整流技术早在八十年代已经基本成熟。把直流电变成交流电,这一过程称为:逆变。
实质上igbt可以理解为是一个复合三极管,前端是一个场效应绝缘栅三极管即mos管,在mos后端接入一个PNP半导体管。MOS三极管具有输入阻抗大,PNP管具有输出电阻、饱和压降小的特点,这两个特点对半导体器件来讲至关重要,组合后的等效电路如下图所示。
在jpdgd的控制栅极G上施加一个很微弱的电位,就可以控制其导通和关闭。末端是由一个pnp型三极管,该管具有饱和压降小,即自身电阻小,产生的热量也很少。由于这个复合三极管的特殊优势,解决了先前半导体器件不能解决的 问题,所以一问世便得到了广泛的关注,迅速在各个自动化领域得到应用,人们把这个复合三极管命名为:igbt。
也有人把igbt称为模块,这个模块在工业自动化领域,医学领域、变频技术领域、逆变技术领域都得到广泛地使用。在家用电器领域更是无处不在。家用电磁炉的末端输出是这个模块,养生壶的输出端,自动电饭煲的输出端也是使用这个模块等等。
可以说,igbt半导体器件的诞生,是半导体器件领域的的一次革命!
上面这张图是igbt的典型应用电路,是属于核心技术的电路。无论是高科技领域,自动化领域,乃至家用电器应用电路,都是在这张基本技术电路图上派生出来的。
其技术原理是:输入220伏交流电,经过整流滤波得到310伏的直流电压,也同时得到5v、12V的直流电压,两种直流低电压分别送给相应的半导体芯片,一组芯片产生矩形脉冲方波,一组芯片产生系统检测用的用来控制方波产生的频率和矩形脉冲的占空比。两组芯片完成了对直流电变成交流电的逆变,将这一交流信号送到igbt的控制栅极G,在输出极就可以得到一个高压大电流的交流输出。具有一定功率的交流输出是一个大功率的电流逆变,根据实际需要,可以将这组逆变交流功率输出进行二次整流,这样就可以得到一个可以随意调节的直流电压,用来控制各种设备。
深圳市京柏微科技有限公司是维安WAYON代理商,代理的产品有维安电源管理 IC,维安LDO,维安PPTC,维安保险丝,维安ESD,维安IGBT,维安二三极管,维安TVS,维安MOS,维安充电IC,维安负载开关等产品。
维安IGBT模块型号表:
电压1200V,电流从100A-600A
100A:WGM100PC120T1
150A:WGM150FC120T1
200A:WGM200HC120T1
300A:WGM300HC120T1
450A:WGM450HD120T1
600A:WGM600HD120T1