图2：维安新国标充电器样机(4820）

方案特性及优势

● 整机效率：≥89.0 %

(包括可控硅和风机的功耗)

该方案主控制器采用谷底开通技术，降低主开关损耗；次级则使用肖特基整流二极管和PMOS负载开关实现无风机被动散热方案，相比传统填谷电路，效率提高4~5%。

● 高EMI裕量

(传导和辐射骚扰 裕量≥6 dB)(

初级采用一级半和谷底开通准谐振拓扑，大大提高了谐波和EMI裕量。

● 宽输入电压范围 ：180-240Vac  

(输入最低电压165V/AC，输入最高电压264V/AC)

次级采用一级半和谷底开通准谐振拓扑和高功率700V MOSFET，输入电压支持到165-264VAC ，相比传统填谷电路输入电压范围更宽。

● 输出规格：60V/3A

(输出最低30V/3A，输出最高60V/3A)

功率因数PF：0.75

设计要点

1、初级方案设计

新国标充电器方案的初级部分采用WD1082G，内部集成PWM控制器和700V/0.9Ω 高功率MOSFET，它具备谷底导通、低功耗、高效率等特性；充电器轻载或空载工作时，WD1082G处于Burst打嗝模式以减小开关损耗，从而降低了待机功耗，提高了轻载效率；工作于正常负载模式时，WD1082G处于QR谷底导通模式，提高了整机效率和降低EMI噪声源头。

WD1082G同时具备过流保护（OCP）、过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、输出过压保护（OVP）等功能。

初级针对于PFC的设计采用了如图3所示的方案，LB、DBYP、DB作为PFC部分的元件，使得输入电流跟随输入电压的正弦波变化而变化，提高了整机的功率因数。同时巧妙使用一级半和合封功率MOSFET技术，相比主动APFC电路，节省一颗功率MOSFET和PFC电路控制，具有线路简单、成本低的优点。本方案中，平均功率因数为0.75，谐波均满足新国标要求。

图3：维安新国标充电器功率级简化电路

2、次级方案设计

为满足新国标充电器强制性 “通讯协议”充电这一要求，本方案的次级控制器采用了一款高度可编程数模混合智能充电管理芯片，其内置的恒压恒流控制模块实现了对充电器对铅酸电池三段式充电的精准控制，从而提高铅酸电池的使用寿命，充电电压经由输出端分压网络得到的电压与内置的2.5V电压源相比较作为输出电压控制信号以及系统反馈信号，充电电流经由采样电阻取得的电压与控制器内置的50mV电压源作为输出电流控制信号以及系统反馈信号。

3、方案样机测试结果

 关键波形

如图4-6所示为本方案设计样机初次级以及LN线关键波形结果。