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深圳京柏微科技有限公司
Wayon维安MOS代理商|维安MOS 20V/55A P沟道MOS WMQ55P02T1
时间：2023-07-16 发布人：京柏微 点击量：
Wayon维安MOS管WMQ55P02T1：
20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
WMQ55P02T1采用先进的电源沟槽技术，已特别定制，以尽量减少导通状态电阻，但保持卓越的开关性能。
Features
VDS= -20V, ID = -55A RDS(on) < 8.2 @ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V
Green Device Available
Low Gate Charge
Advanced High Cell Density Trench Technology
100% EAS Guaranteed
