什么是MO管？
       MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

      场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

     场效应管通过投影P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

       维安提供各类功率半导体产品，包括500V/ 600V/ 650V/ 700V/ 800V/  900V/ 950V/ 1050V/ 1200V高压超级结MOSFET（SJ-MOS）系列产品、 600V/ 650V/ 700V高压VDMOS（HV-VDMOS）系列产品、低压功率MOSFET （LV-MOS）系列产品、肖特基二极管（Schottky Diode）等。维安功率半导体 产品采用先进的制造工艺、全球领先的专利封装技术，具有低功耗和高可靠性， 已在充电器、TV、适配器、LED照明、PC、服务器及汽车充电桩等领域得到广泛 应用。  维安提供应对过电流、过电压、过温及抗电磁干扰的广泛的电路保护产品。包 括自恢复保险丝（PPTC）、瞬态电压抑制器（TVS、SESD Arrays）、多功能集 成保护IC（ESD/EMI）、静电抑制器（ESD）、晶闸管浪涌保护器（TSS）、气 体放电管（GDT）、玻璃放电管（SPG）、片式独石熔断器（Chip Fuse）、温 度保险丝（Thermal Fuse）、陶瓷热敏电阻（CPTC）、防雷模块（SPD）、压 敏电阻（MOV）、PCM保护模块等，应用领域涵盖移动通信、计算机系统、汽 车电子、数字消费类电子、电池、安防监控、仪器仪表、家用、工控设备等。

       维安WMO18N20T2使用了先进的电源沟槽技术，该技术特别定制以最小化状态电阻，同时保持优越的开关性能。

20V-250V Trench N Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMO18N20T2

2.Package：TO-252

3.VDS(V)：200

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：18

6.VGS(th)(V)(Typ.)：2

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：130

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：150