碳化硅材料有很多优点，如禁带宽度很大、临界击穿场强很高、热导率很大、饱和电子漂移速度很高和介电常数很低。碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上。相对应的，硅材料的禁带宽度较低，在较低的温度下硅器件本征载流子浓度较高，而高的漏电流会造成热击穿，这限制了器件在高温环境和大功率耗散条件下工作。 
       用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复二极管（FRD)，能够明显减少恢复损耗，有利于开关电源的高频化，减小电感、变压器等被动元件的体积，使开关电源小型化，并降低产品噪音。
Wayon维安代理商|SiC Schottky Diode 碳化硅肖特基二极管:WSRSIC002120NPO
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
Features
 2A Silicon Carbide Schottky Diode
 Excellent high temperature stability
 Low forward voltage
 High forward surge capability
 150℃ Operating Junction Temperature
 Reduced temperature dependence Mechanical Data
 Case: TO-252-2L Absolute Maximum Ratings（Tc=25℃ Unless otherwise specified）

Parameter Symbol Value Unit Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 1200 V Surge Peak Reverse Voltage VRSM 1200 V DC Blocking Voltage VR 1200 V Maximum Average Forward Rectified Current Tc=143℃ IF 2 A Surge(Non-Repetitive)Forward Current @ Tp=10ms Half Sine Wave TC=25℃ IFSM 16 A Power Dissipation TC=25℃ Ptot 49 W Thermal Resistance(between Junction and Case) Rθ(J-C) 2.55 （Typ.） ℃/W Junction and Storage Temperature TJ TSTG -40 ~ +150 ℃ Electronics Characteristics（Tc=25℃ Unless otherwise specified） Parameter Symbol Typ. Max. Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage @IF=2A TJ=25℃ Maximum Instantaneous Forward Voltage @IF=2A TJ=150℃ VF 1.45 2 1.8 / V ©2021 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE WSRSIC002120NPO Total Capacitance @ f=1MHZ TJ=25℃ VR=0V Total Capacitance @ f=1MHZ TJ=25℃ VR=400V Total Capacitance @ f=1MHZ TJ=25℃ VR=800V C 135 11 8 / pF Total Capacitive Charge @ VR=800V QC 8 / nC Reverse leakage current @VR=1200V TJ=25℃ Reverse leakage current @VR=1200V TJ=150℃ IR 1 8 20 / μA

　   碳化硅肖特基二极管的应用

　　SiC肖特基二极管主要应用于混合动力、光伏逆变器、矿机电源、电焊机和充电桩。

　　碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）是一种单极型器件，采用结势垒肖特基二极管结构（JBS），因此相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电流，具备更好的耐高压能力。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随着温度的上升电阻也逐渐上升，这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合并联实用，增加了系统的安全性和可靠性。在器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流，反向恢复时间小于20ns，甚至600V10A的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间在10ns以内。因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率，在相同频率下具有更高的效率