碳化硅：第三代半导体突破性材料。SiC是第三代半导体材料，其具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料

根据Wolfspeed预计，2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。当前SiC功率器件价格较高，是硅基IGBT的3~5倍左右，但凭借优异的系统节能特性，SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。

安森美：all in碳化硅！

未来5-10年碳化硅产能不会过剩

自去年10月安森美收购GTAT以后，其对新的企业部门进行了投资并扩大了产能，预计今年年底产能增长5倍。“基于GTAT生产的晶圆衬底，在2022年我们已经有器件产品出货了。”

安森美总裁兼首席执行官CEO透露，“2022-2023年安森美在碳化硅方面的资本支出将会达到总收入的15%-20%，其中75%-80%将用于碳化硅的产能扩张。”

安森美公司收购GTAT刚好一年，SiC收入有望在2022年增加两倍，并根据长期服务协议（LTSA）的承诺收入在23年实现10亿美元的收入。

对于产能过剩的风险，安森美表示资本支出的增加短期会对公司的毛利造成一些压力，但安森美相信未来市场足够大，足以支持投资和产能的扩张。

“未来5-10年，我们认为碳化硅的市场还是会比较紧缺，不会出现产能过剩的情况。”安森美CEO说道。

“2022年碳化硅业务的营收是2021年的3倍，证明了安森美在这方面有生产和产能扩张的能力，我们会继续扩充产能，在未来3年预计可以实现40亿美元的碳化硅收入。”

安森美是全球汽车半导体龙头，聚焦智慧电源及智慧感知业务。安森美前身为1999年摩托罗拉分拆的半导体部门，2000年美股上市，后陆续收购众多半导体制造商，在全球建立生产基地和设计工厂。2021年，公司收购碳化硅厂商GTAT，增强碳化硅领域布局实力。2021财年，公司实现营收67.4亿美元，同比增长28.13%；归母净利润10.1亿美元，同比增长339.13%。

安森美战略转型：all in碳化硅，彰显汽车野心。安森美收入包含电源方案部（功率）、先进方案部（模拟、混合信号、逻辑）及智能感知部（CIS），下游涵盖汽车、工业、通讯、消费等。2020年12月，El-Khoury出任公司新CEO；2021年8月，公司变更品牌名（去“半导体”化）及LOGO，彰显对于汽车下游的重视。碳化硅作为远期核心增长点，在公司营收比重不断提升。而IDM转Fab-liter模式，也切实推动公司盈利能力改善。

日本SiC材料厂家：翻5倍！

英飞凌的 SiC 制造能力将增加十倍

与此同时，2023年1月12日，Resonac与英飞凌签订了新的多年合同。

与英飞凌达成的新的多年期协议扩展了 2021 年签署的现有 150mm SiC 晶圆协议，并且是英飞凌计划在本十年末扩大其 SiC 制造能力以达到 30% 的市场份额计划的一部分。

到 2027 年，英飞凌的 SiC 制造能力将增加十倍。居林的新工厂计划于 2024 年投产，该公司已经为全球 3,600 多家客户提供 SiC 半导体。

作为合作的一部分，英飞凌将为 Resonac 提供与 SiC 材料技术相关的知识产权。英飞凌凭借这一专长于 2018 年收购了材料公司 Silectra。

高技术门槛导致第三代半导体材料市场以日美欧寡头垄占，国内企业在SiC衬底方面以4英寸为主。目前，国内已经开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底，山东天岳公司、北京天科合达公司和河北同光晶体公司分别与山东大学、中科院物理所和中科院半导体所进行技术合作与转化，在SiC单晶衬底技术上形成自主技术体系。国内目前已实现4英寸衬底的量产；同时山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完成6英寸衬底的研发；中电科装备已成功研制出6英寸半绝缘衬底。

国内碳化硅衬底竞争对比