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深圳京柏微科技有限公司
产品概述
MOS管的工艺发展史：
维安MOSFET大致可以分为以下几类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
维安Trench MOS和SGT MOS器件结构：
维安SGT技术优势有三大点：
1.功率密度显著提升，沟槽挖掘深度深3-5倍
2.开关损耗极低， SGT具有低Qg 的特点，它的SGT结构更有利于获得更低的CGD/CGS比值。
3.EMI优势，维安MOS具有压低瞬态震荡的优点。
维安SGT MOSFET借助高功率密度，低内阻的优点，在消费类，工业类等应用领域占领了很大的市场。
例如：充电器，PC、OBC，笔电、无线充电等：
同步整流SGT MOS：
通讯电源、5G基站，BMS及电机控制：
维安作为国内半导体技术领先厂家，在2022年之后还会有MCU,IGBT模块等新产品出来，关注维安代理商京柏微，将会给您带来更多维安MOS，维安电源IC，维安MCU等资讯。
