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全球MOSFET竞争格局,国产半导体Wayon维安MOS崛起

时间:2022-11-19       发布人:京柏微       点击量:

全球市场份额看,MOSFET几乎都集中在国际大厂手中,英飞凌收购了IR成为行业龙头,安森美也完成对仙童半导体的收购后,市占率跃
升至第二,然后销售排名分别是瑞萨、东芝、万国、ST、威世、安世、美格纳等等;

       与活跃于中国大陆的国际厂商相比,国产企业优势不明显,但这不能说国产没有机会,中国大陆是世界上产业链最齐全的经济活跃区,在
功率半导体领域活跃着一批本土制造企业,目前已基本完成产业链布局,且处于快速发展中;特别是MOSFET领域,国产在中低压领域替换进
口品牌潜力最大,且部分国产、如士兰、华润微、吉林华微,新洁能,维安WAYON等都在努力进入世界排名;


主流MOS管品牌

MOS管分为几大系列:美系、日系、韩系、国产。

美系:英飞凌、IR,仙童,安森美,ST,TI ,PI,AOS美国万代半导体等;

日系:东芝,瑞萨,ROHM罗姆等;

韩系:美格纳,KEC,AUK,森名浩,信安,KIA

国产:上海维安电子有限公司,吉林华微电子股份有限公司,扬州扬杰电子科技股份有限公司,杭州士兰微电子股份有限公司,华润微电子
(重庆)有限公司,无锡新洁能,西安后裔,深圳锐俊半导体,无锡华润华晶微电子有限公司,江苏东晨电子科技有限公司,东微半导体,威
兆半导体,苏州硅能,无锡市芯途半导体有限公司

国产台系:ANPEC,CET,友顺UTC

维安WAYON MOS管封装分类

按照安装在PCB板上的方式来划分,MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。

1、表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有:晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管
(SOT)、小外形封装(SOP)、
方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。


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2、维安WAYON晶体管外形封装(TO)

属于早期的封装规格,例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封装设计。

由于插入式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品,使得表面贴装市场需求量不断增大,也使得TO封装发展到表面贴装式封装。

TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面贴装封装。

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3、小外形封装(SOP)

SOP(Small Out-Line Package)是表面贴装型封装之一,也称之为SOL或DFP,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两
种。
SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等,SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格,

 

4、方形扁平式封装(QFP)

QFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般在大规模或超大型集成电路中采用,其引脚数一般在100个以
上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点:

5、四边无引线扁平封装(QFN)

QFN(Quad Flat Non-leaded package)封装四边配置有电极接点,由于无引线,贴装表现出面积比QFP小、高度比QFP低的特点;其中陶瓷
QFN也称为LCC(Leadless Chip Carriers),采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料QFN则称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

采用QFN-56封装的DrMOS

传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求,也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。

随着技术的革新与进步,把驱动器和MOSFET整合在一起,构建多芯片模块已经成为了现实,这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而
提升功耗密度,通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流,这就是整合驱动IC的DrMOS。

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由于CPU的低电压、大电流的发展趋势,对MOSFET提出输出电流大,导通电阻低,发热量低散热快,体积小的要求。MOSFET厂商除了改进
芯片生产技术和工艺外,也不断改进封装技术,在与标准外形规格兼容的基础上,提出新的封装外形,并为自己研发的新封装注册商标名称。

内部封装改进方向

除了外部封装,基于电子制造对MOS管的需求的变化,内部封装技术也在不断得到改进,这主要从三个方面进行:改进封装内部的互连技术、
增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。

1、封装内部的互连技术

TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊线式的内部互连封装技术,当CPU或GPU供电发展到低电压、大电流时代,焊线式的SO-8封装就受到了封
装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。

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未来,随着电子制造业继续朝着超薄、小型化、低电压、大电流方向的发展,MOS管的外形及内部封装结构也会随之改变,以更好适应
制造业的发展需求。另外,为降低电子制造商的选用门槛,MOS管向模块化、系统级封装方向发展的趋势也将越来越明显,产品将从性能、成
本等多维度协调发展。

        而封装作为MOS管选型的重要参考因素之一,不同的电子产品有不同的电性要求,不同的安装环境也需要匹配的尺寸规格来满足。实际选
用中,应在大原则下,据实际需求情况来做抉择。

       Wayon维安提供各类功率器件产品,包括600V/650V/700V高压VDMOSHV-VDMOS)系列产品、500V/600V/650V/700V/800V/900V高压

       超级结MOSFETSJ-MOS)系列产品、低MOSFETLV-MOS)系列产品、肖特基二极管(Schottky Diode)等。该类产品在充电器、适配器、
LED照明及PC领域被广泛应用。
SJ-MOS超结MOS,可以完全替代英飞凌和东芝、ST的COOLMOS,其大功率,内阻小,体积小,节能环保,不发热,
安全性,可靠性
和寿命。

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