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Wayon维安一级代理商|维安碳化硅肖特基二极管优势及应用
时间:2022-09-24 发布人:京柏微 点击量:
维安Wayon代理SiC肖特基二极管主要应用于混合动力、光伏逆变器、矿机电源、电焊机和充电桩。
碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)是一种单极型器件,采用结势垒肖特基二极管结构(JBS),因此相比于传统的硅快恢复二极管(SiFRD),碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。可以有效降低反向漏电流,具备更好的耐高压能力。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数,随着温度的上升电阻也逐渐上升,这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅肖特基二极管非常适合并联实用,增加了系统的安全性和可靠性。在器件从正向导通向反向阻断转换时,几乎没有反向恢复电流,反向恢复时间小于20ns,甚至600V10A的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间在10ns以内。因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率,在相同频率下具有更高的效率。
一、维安WAYON SiC碳化硅肖特基二极管器件分类和优点:
(1)碳化硅单载流子器件漂移区薄,开关电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件的正向损耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如,商用的硅肖特基的电压小于300V,而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。(3)碳化硅有高的热导率,因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。(4)碳化硅器件可工作在高温,碳化硅器件已有工作在600ºC的报道,而硅器件的最大工作温度仅为150ºC.(5)碳化硅具有很高的抗辐照能力。(6)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小,可靠性好。(7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性,反向恢复电流小,开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(》20KHz)。(8)碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。
针对光伏市场应用,维安产品组合包括全系列的功率器件,具体包括高压SJ-MOSFET、中压SGT MOSFET和IGBT模组和第三代半导体碳化硅肖特基二极管SiC SBD,此外,维安还可以提供AC/DC、DC/DC、LDO、保护器件等产品来实现完整的系统级方案。
Part No. | VRRM(V) | IF(A) | IFSM(A) | VF(V) typ. | IR(μA)typ. | Package | Data sheet |
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