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Wayon维安代理商低压MOS管WM03P42M2兼容替换AO3401A,ME2345A,CJ3401,NCE3401

WM03P42M2 采用先进的沟槽技术，提供优秀的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的操作栅极电压。该装置适用于作为负载开关或其他一般应用。

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产品概述

品牌：维安Wayon

型号： WM03P42M2

封装： SOT-23-3L

数量： 3000

RoHS：是

产品种类：电子元器件

最小工作温度： -30C

最大工作温度： 90C

最小电源电压： 3.5V

最大电源电压： 8V

长度： 8.3mm

宽度： 1.7mm 高度： 2mm

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1.Part No.：WM03P42M2

2.Package：SOT-23-3L

3.VDS(V)：-30

4.Vgs Max(V)：±12

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：-4.2

6.VGS(th)(V)(Min.)：-.7

7.VGS(th)(V)(Max.)：-1.3

8.Rds(on)mΩ@VGS=10V(Typ.)：48

9.Rds(on)mΩ@VGS=10V(Max.)：60

10.Rds(on)mΩ@VGS=4.5V(Typ.)：55

11.Rds(on)mΩ@VGS=4.5V(Max.)：70

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制造商零件编号：AO3401A
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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WM03P42M2中文资料规格参数参数列表技术参数极性 P-CH 耗散功率 1.4W（Ta）漏源极电压(Vds) 30V 连续漏极电流(Ids) 4A 封装参数安装方式 Surface Mount 封装 SOT23-3 外形尺寸封装 SOT23-3 其他产品生命周期 Active 符合标准 RoHS标准 Compliant 含铅标准 Lead Free