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深圳京柏微科技有限公司
产品概述
2021年以来国内外主机厂掀起了一轮800V电压平台车型发布潮。800V高压平台被视为未来电动汽车主流平台，伴随800V的落地，碳化硅（SiC）功率半导体也将成必然选择。
800V平台最大的优势是可以满足终端消费者的需求，解决电动汽车的一些里程焦虑，且充电快，动力强。而这其实也是新能源汽车特别是纯电动汽车在市场推广上会面临的障碍，终端消费者的最大顾虑就是如何实现快充，怎样实现动力强等等。
从车企的角度，800V可以降低系统的整体成本。例如，它提供更高的充电效率，可以在相同功率下实现更长的续航里程，或者在相同的续航里程下，降低对电池能量的要求。
SIC碳化硅MOS、GNA氮化镓MOS应用范围包括新能源电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车）以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。
相比传统的硅器件，碳化硅功率器件在充电桩领域应用可以提升电源系统开关频率和效率，并降低无源器件(电感、电容等)的重量和体积，提升系统功率密度。比如市面上主流的15kW充电桩模块，一台15kW的充电桩模块电源内部一般会用到4颗或8颗碳化硅MOSFET，具体使用数量仍取决于所选器件的导通电阻值和输出电流。
以电动车充电桩设施的三相电力转换系统为例，1200V的SiC MOSFET可为DC-DC转换级建构一个LLC全桥级，其中典型的硅解决方案则由于倚赖650VSi超接面MOSFET，通常需要两个串联的LLC全桥来支援800V的DC链路，而四组SiC MOSFET加上驱动器IC即可取代八组Si超接面MOSFET加上驱动器IC。除了零件数量减少及电路板空间缩减之外，SiC MOSFET还可以使效率达到最佳化，在每个导通状态下，相较于Si解决方案中的四个切换位置，SiC MOSFET解决方案仅打开两个切换位置即可，在快速电池充电中使用SiC MOSFET，可实现高效率的充电周期。
随着单个充电模组的功率提高到20kW-30kW，为了提高单位体积的功率密度、提高平台电压、简化电路结构，使用SiC产品的机会将越来越多。当然在大功率充电桩里最开始得到大规模应用的应该还是SiC-SBD，SiC器件的需求还主要以1200V的SiC-SBD为主，很多充电桩生产企业已经将SiC-SBD用于量产项目。之后随着用户平台电压提高和电路结构优化的需要，以及中国国内汽车快速充电市场的扩大，SiC-MOS的使用机会也会越来越多，具体使用个数会以用户具体电路结构而定，但是预计使用量都会比较可观(目前单个直流充电模组中大概使用28颗硅基的SJMOS)。
新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC/DC）和非车载充电桩。碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器，能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提高功率密度。
Wayon维安在SIC MOSFET的应用型号：WPCM80R120T1A/WPCM32J120T1A
800V平台最大的优势是可以满足终端消费者的需求，解决电动汽车的一些里程焦虑，且充电快，动力强。而这其实也是新能源汽车特别是纯电动汽车在市场推广上会面临的障碍，终端消费者的最大顾虑就是如何实现快充，怎样实现动力强等等。
从车企的角度，800V可以降低系统的整体成本。例如，它提供更高的充电效率，可以在相同功率下实现更长的续航里程，或者在相同的续航里程下，降低对电池能量的要求。
SIC碳化硅MOS、GNA氮化镓MOS应用范围包括新能源电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车）以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。相比传统的硅器件，碳化硅功率器件在充电桩领域应用可以提升电源系统开关频率和效率，并降低无源器件(电感、电容等)的重量和体积，提升系统功率密度。比如市面上主流的15kW充电桩模块，一台15kW的充电桩模块电源内部一般会用到4颗或8颗碳化硅MOSFET，具体使用数量仍取决于所选器件的导通电阻值和输出电流。
以电动车充电桩设施的三相电力转换系统为例，1200V的SiC MOSFET可为DC-DC转换级建构一个LLC全桥级，其中典型的硅解决方案则由于倚赖650VSi超接面MOSFET，通常需要两个串联的LLC全桥来支援800V的DC链路，而四组SiC MOSFET加上驱动器IC即可取代八组Si超接面MOSFET加上驱动器IC。除了零件数量减少及电路板空间缩减之外，SiC MOSFET还可以使效率达到最佳化，在每个导通状态下，相较于Si解决方案中的四个切换位置，SiC MOSFET解决方案仅打开两个切换位置即可，在快速电池充电中使用SiC MOSFET，可实现高效率的充电周期。 随着单个充电模组的功率提高到20kW-30kW，为了提高单位体积的功率密度、提高平台电压、简化电路结构，使用SiC产品的机会将越来越多。当然在大功率充电桩里最开始得到大规模应用的应该还是SiC-SBD，SiC器件的需求还主要以1200V的SiC-SBD为主，很多充电桩生产企业已经将SiC-SBD用于量产项目。之后随着用户平台电压提高和电路结构优化的需要，以及中国国内汽车快速充电市场的扩大，SiC-MOS的使用机会也会越来越多，具体使用个数会以用户具体电路结构而定，但是预计使用量都会比较可观(目前单个直流充电模组中大概使用28颗硅基的SJMOS)。 新能源汽车系统架构中涉及到功率半导体应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC/DC）和非车载充电桩。碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器，能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提高功率密度。 Wayon维安在SIC MOSFET的应用型号：WPCM80R120T1A/WPCM32J120T1A 
