原装畅销·品牌齐全·海量型号·库存充足
联系我们
Contact us
深圳京柏微科技有限公司
Wayon维安代理商SIC碳化硅肖特基二极管让你的电源冰墩墩 透心凉
碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管、PiN二极管和超结二极管；功率开关管主要包括金属氧化物半导体场效应开关管（MOSFET）、结型场效应开关管（JFET）、双极型开关管（BJT）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、门极可关断晶闸管（GTO）和发射极可关断晶闸管（ETO）等。
其性能优势，如更低损耗、更高电压、更高频率、更小尺寸和更高结温，非常适合制造大功率电子器件。
市面上主流的SiC二极管产品，基本上采用JBS结构。JBS结构主从原理上来说，主要是PN结二极管+肖特基结二极管。这样的结构好处是它综合了PiN反向漏电的特点，而且具有肖特基二极管快速恢复的特点。所以说SiC二极管既能工作在高压下，又能工作在高频下。
WAYON维安SiC碳化硅肖特基二极管的特点：
肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间短，但是就传统的肖特基二极管它的耐压一般不超过200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。
Wayon维安第四代产品以100μm厚度为代表。此工艺水平为目前国际最优量产水平，国际上英飞凌C6等产品采用此节点工艺进行开发，得到VF和电容性能的综合优势，维安目前量产主推工艺也是采用此节点，工艺水平领先国内主流1代~1.5代水平。
Wayon维安碳化硅肖特基产品历经250μm、150μm、100μm三次更新，目前量产产品全部采用100μm节点（维安第三代）薄片工艺，通过降低芯片厚度降低导通损耗和使用缩小有效结面积的方法降低电容，使器件电流密度，导通损耗和开关损耗等器件参数性能优于同行业水平。Wayon维安SIC碳化硅肖特基二极管：
1200V 碳化硅肖特基二极管四个型号WSRSIC020120NP4/WSRSIC010120NP4/WSRSIC040120NP8/WSRSIC020120NP8；
650V 碳化硅肖特基二极管型号：WSRSIC010065NPD/WSRSIC008065NPD/WSRSIC006065NPD/WSRSIC004065NPD/WSRSIC010065NNI/WSRSIC008065NNI/WSRSIC006065NNI/WSRSIC004065NNI/WSRSIC010065NPF/WSRSIC008065NPF/WSRSIC006065NPF/WSRSIC004065NPF，封装一般为DFN5*6/TO-220ISO-2L。
Wayon维安碳化硅肖特基二极管650V型号WSRSIC008065NPD规格书:
Wayon维安代理商在电源模块中使用碳化硅肖特基二极管器件，具有以下优势：
开关损耗极低；
较高的开关频率；
结温高，从而降低了冷却要求和散热要求；
更小封装，适合更紧凑的方案。
可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。
在新能源汽车中，SiC碳化硅肖特基二极管主要是用于车载OBC和地面充电桩设备。车载OBC和充电桩功能都是相同的，都是将电网中的交流电转换成直流电，然后给汽车的蓄电池充电。
其中，SiC二极管主要用在两个方面。第一，输入端PFC电路中，SiC二极管作为升压和整流二极管应用。第二，输出端AC-DC电路中，SiC二极管作为高频整流应用。由于车载OBC和充电桩输入电压不同，OBC是220V，充电桩是380V，OBC要求SiC二极管的电压等级是650V，充电桩要求SiC二极管的电压等级是1200V。电流从10A到几十安都有。
在光伏逆变器中，SiC碳化硅肖特基二极管主要是用在前级MPPT电路，作为升压二极管使用。一般来说SiC二极管一般与SiC MOSFET配套使用。目前来说主要使用的是1200V产品。由于光伏逆变器的功率等级跨度比较大，从百瓦到GW的光伏逆变器都有。相应的，对SiC分立器件要求不同，从几A到几十A的TO封装的小器件，到几百A、上千A的功率模块。
