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![Multi-Channel MOSFET Power MOSFET](/uploadfile/file/20221105/1667661566134698.jpg)
产品概述
Trench MOSFET:
Key Features
•High cell density design
•Ideal for miniaturized packages
•G-S ESD protection embedded
•Voltage range: 12V-200V
SGT MOSFET
Key Features
•Advance shield gate trench technology
•Ultra low gate charge
•High power integration
•Voltage range: 30V-250V
沟槽MOSFET:
主要功能
•高电池密度设计
•小型封装的理想选择
•嵌入式G-S ESD保护
•电压范围:12V-200V
SGT MOSFET
主要功能
•先进的屏蔽栅沟槽技术
•极低栅极电荷
•高功率集成
•电压范围:30V-250V
技术参数
MV&LV Power MOSFET系列产品
Part No. | Package | VDS(V) | Vgs Max(V) | ID(A)@TA=25℃(Max.) | VGS(th)(V)(Typ.) | Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.) | Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.) | Data sheet |
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