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MV&LV Power MOSFET

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分类
Multi-Channel MOSFET Power MOSFET

Multi-Channel MOSFET Power MOSFET

MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
产品概述

Trench MOSFET:

Key Features

•High cell density design

•Ideal for miniaturized packages

•G-S ESD protection embedded

•Voltage range: 12V-200V

SGT MOSFET

Key Features

•Advance shield gate trench technology

•Ultra low gate charge

•High power integration

•Voltage range: 30V-250V

沟槽MOSFET:

主要功能

•高电池密度设计

•小型封装的理想选择

•嵌入式G-S ESD保护

•电压范围:12V-200V

SGT MOSFET

主要功能

•先进的屏蔽栅沟槽技术

•极低栅极电荷

•高功率集成

•电压范围:30V-250V


技术参数

image.png

MV&LV Power MOSFET系列产品
Part No.PackageVDS(V)Vgs Max(V)ID(A)@TA=25℃(Max.)VGS(th)(V)(Typ.)Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)Data sheet
WM02DN560QDFN3*3-8L20±12200.55/5.8
WM02DN095CDFN2*3-6L20±129.50.62/7.4
WM02DN110CDFN2*3-6L20±12110.62/7.5
WM02DN085CDFN2*3-6L20±128.50.62/8.2
WM02DN080CDFN2*3-6L20±1280.62/13
WMS098DN06LG2SOP-8L60±20131.71216.5
WMQ40DN03T1PDFN3*3-8L30±20401.6914
WMS14DN03T1SOP-8L30±20141.5913
WMB02DN10T1PDFN5*6-8L100±202.51.5290310
WMS08DN06TSSOP-8L60±2081.73846
WMB03DN06T1PDFN5*6-8L60±203.51.3100110
WMB31430DNPDFN5*6-8L30±201301.61.31.8
WMB31430DNPDFN5*6-8L30±20561.64.66.5
WMB042DN03LG2PDFN5*6-8L30±20501.74.26.5
WMB042DN03LG2PDFN5*6-8L30±20451.75.59
WMS09DP03TSSOP-8L-30±20-9-1.51519
WMQ30DP03TS*PDFN3*3-8L-30±20-30-1.52030
WMS08DP03TSSOP-8L-30±20-8-1.52434
WMB090DN04LG2*PDFN5*6-8L40±20451.61016
WMS10DN04TS*SOP-8L40±20101.612.520
WMQ30DN04TS*PDFN3*3-8L40±20301.612.520
WMQ15DN04TS*PDFN3*3-8L40±20151.64560
WMB098DN06LG2PDFN5*6-8L60±20131.71116
WMB140DN06LG2PDFN5*6-8L60±20381.71420
WMS140DN06LG2SOP-8L60±20101.71622
WMB26DN06TSPDFN5*6-8L60±20261.73240
WMQ20DN06TSPDFN3*3-8L60±20201.73544
WMB190DN10LG2PDFN5*6-8L100±20331.71925
WMS08DH04T1SOP-8L40±2081.61822.5
WMS08DH04T1SOP-8L-40±20-6-1.74558


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